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南车时代碳化硅

一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法 - 百度学术

株洲南车时代电气股份有限公司发明人：周正东，李诚瞻，刘可安，刘国友，史晶晶 ... 本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法,包括在碳化硅片的正面制作正面碳一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法 - 百度学术株洲南车时代电气股份有限公司发明人：周正东，李诚瞻，刘可安，刘国友，史晶晶 ... 本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法,包括在碳化硅片的正面制作正面碳

株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...

2013年7月29日株洲南车时代电气股份有限公司建成碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线，形成年产 1 万片 4 英寸（可扩充到 6 英寸）碳化硅芯片的生产能力；建成双极型烧结株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...2013年7月29日株洲南车时代电气股份有限公司建成碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线，形成年产 1 万片 4 英寸（可扩充到 6 英寸）碳化硅芯片的生产能力；建成双极型烧结

株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...

2017年1月30日碳化硅项目的产品定位如下：建成碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线，形成年产1英寸（可扩充到6英寸）碳化硅芯片的生产能力；建成双极型烧结器件的生株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...2017年1月30日碳化硅项目的产品定位如下：建成碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线，形成年产1英寸（可扩充到6英寸）碳化硅芯片的生产能力；建成双极型烧结器件的生

南车时代：大功率半导体器件IGBT产业化建设项目 - 北极星 ...

2013年11月14日日前，南车时代新材有限公司自主研制的国内首套复合材料光伏支架成功装机，这标志着南车时代成为国内第一家掌握复合材料光伏支架技术的企业。南车时代：大功率半导体器件IGBT产业化建设项目 - 北极星 ...2013年11月14日日前，南车时代新材有限公司自主研制的国内首套复合材料光伏支架成功装机，这标志着南车时代成为国内第一家掌握复合材料光伏支架技术的企业。

国产轨道交通用高压IGBT芯片通过专家鉴定 - 国务院国有 ...

2012年12月21日 21日从中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司（简称“南车时代电气”）获悉，该公司自主生产的800安培/3300伏、1200安培/3000伏两种轨道交通用高国产轨道交通用高压IGBT芯片通过专家鉴定 - 国务院国有 ...2012年12月21日 21日从中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司（简称“南车时代电气”）获悉，该公司自主生产的800安培/3300伏、1200安培/3000伏两种轨道交通用高

大功率半导体，“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化

2018年2月2日南车株洲所与中国科学院微电子研究所联合，组建新型电力电子器件研发中心，开展以碳化硅为基础材料的新型电力电子器件技术与产业化的研究。目前，中心已大功率半导体，“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化2018年2月2日南车株洲所与中国科学院微电子研究所联合，组建新型电力电子器件研发中心，开展以碳化硅为基础材料的新型电力电子器件技术与产业化的研究。目前，中心已

铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍铝碳化硅复合材料介绍

2016年6月3日 Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。其展现出的优异性能,吸铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍铝碳化硅复合材料介绍2016年6月3日 Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。其展现出的优异性能,吸

株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...

2013年7月29日株洲南车时代电气股份有限公司建成碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线，形成年产 1 万片 4 英寸（可扩充到 6 英寸）碳化硅芯片的生产能力；建成双极型烧结器件的生产线，实现年产能 60 万只的生产能力。半导体器件生产 I、II 线产能 34 万只 / 年。株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...2013年7月29日株洲南车时代电气股份有限公司建成碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线，形成年产 1 万片 4 英寸（可扩充到 6 英寸）碳化硅芯片的生产能力；建成双极型烧结器件的生产线，实现年产能 60 万只的生产能力。半导体器件生产 I、II 线产能 34 万只 / 年。

中科风控：第三代半导体材料——碳化硅（SiC）_网易订阅

2017年8月16日作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅 (SiC)单晶材料具有禁带宽度大 (~Si的3倍)、热导率高 (~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高 (~Si的2.5倍)和击穿电场高 (~Si的10倍或GaAs的5倍)等性质。. SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工 ... 中科风控：第三代半导体材料——碳化硅（SiC）_网易订阅2017年8月16日作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅 (SiC)单晶材料具有禁带宽度大 (~Si的3倍)、热导率高 (~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高 (~Si的2.5倍)和击穿电场高 (~Si的10倍或GaAs的5倍)等性质。. SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工 ...

中国开放科研知识云: 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺 ...

2018年7月20日一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法. 本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积第一层介质层；在所述第一层介质层上沉积第二层介质层；在所述第二层介质层上涂覆光刻胶，并光刻显影 ... 中国开放科研知识云: 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺 ...2018年7月20日一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法. 本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积第一层介质层；在所述第一层介质层上沉积第二层介质层；在所述第二层介质层上涂覆光刻胶，并光刻显影 ...

知乎专栏 - 随心写作，自由表达 - 知乎

知乎专栏 - 随心写作，自由表达 - 知乎

大功率半导体，“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化

2018年2月2日南车株洲所智慧地选择了一条“捷径”——实施“收购-整合-创新”战略，通过全球性战略布局，吸纳国际优势研发资源，对IGBT技术进行自主攻关。 2008年10月31日，南车株洲所下属株洲南车时代电气股份有限公司成功收购英国丹尼克斯半导体公司75%的股权，为中国南车实现IGBT技术的突破打开了一扇 ... 大功率半导体，“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化2018年2月2日南车株洲所智慧地选择了一条“捷径”——实施“收购-整合-创新”战略，通过全球性战略布局，吸纳国际优势研发资源，对IGBT技术进行自主攻关。 2008年10月31日，南车株洲所下属株洲南车时代电气股份有限公司成功收购英国丹尼克斯半导体公司75%的股权，为中国南车实现IGBT技术的突破打开了一扇 ...

株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...

2017年1月30日株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心工业园公司厂内的预留用地，建设功率 ... 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...2017年1月30日株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心工业园公司厂内的预留用地，建设功率 ...

瀚天天成：打造中国“碳化硅谷”(组图) - Sohu

2014年7月31日该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。瀚天天成：打造中国“碳化硅谷”(组图) - Sohu2014年7月31日该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。

南车时代碳化硅_上海破碎生产线

南车时代电气功率半导体研发大楼落成剪彩_电气资讯-百方电气。年月日-。整合相关技术资源,已经形成了一个国际化、专业化的功率半导体技术研发团队,正在开展新一代IGBT、新一代HVDC晶闸管和碳化硅技术的研究开发。南车时代碳化硅_上海破碎生产线南车时代电气功率半导体研发大楼落成剪彩_电气资讯-百方电气。年月日-。整合相关技术资源,已经形成了一个国际化、专业化的功率半导体技术研发团队,正在开展新一代IGBT、新一代HVDC晶闸管和碳化硅技术的研究开发。

瀚天天成打造中国“碳化硅谷”-要闻-资讯-中国粉体网

2014年7月31日该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。瀚天天成打造中国“碳化硅谷”-要闻-资讯-中国粉体网2014年7月31日该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。

时代电气研究报告：迈入新能源时代的轨交装备龙头（报告 ...

2022年3月8日时代电气此前所在的轨交和电网在 IGBT 芯片市场占比分别为 4%和 5%，合计市场占比仅为 10%，公司切入新能源汽车、工控和新能源发电等新领域之后，市场增长空间也大幅拓宽。. IGBT 需求集中汽车和工业领域，德美日等国具有市场垄断性优势：在 IGBT 时代电气研究报告：迈入新能源时代的轨交装备龙头（报告 ...2022年3月8日时代电气此前所在的轨交和电网在 IGBT 芯片市场占比分别为 4%和 5%，合计市场占比仅为 10%，公司切入新能源汽车、工控和新能源发电等新领域之后，市场增长空间也大幅拓宽。. IGBT 需求集中汽车和工业领域，德美日等国具有市场垄断性优势：在 IGBT

瀚天天成：打造中国“碳化硅谷”-铁合金业界资讯-铁合金在线

2014年8月1日该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。瀚天天成：打造中国“碳化硅谷”-铁合金业界资讯-铁合金在线2014年8月1日该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。

IGBT国产替代下，中车时代正在成为百亿新增市场的独宠 ...

2020年7月14日中车时代官网除了展示IGBT产品外，还有展示5款SiC肖特基（SICSBD产品），目前中车碳化硅的技术处于国际领先齐头并进的水平，相信在未来3-5年，SIC基材逐渐侵占Si基材份额的大趋势下，公司又将收获一枚业绩增长强驱动。 IGBT国产替代下，中车时代正在成为百亿新增市场的独宠 ...2020年7月14日中车时代官网除了展示IGBT产品外，还有展示5款SiC肖特基（SICSBD产品），目前中车碳化硅的技术处于国际领先齐头并进的水平，相信在未来3-5年，SIC基材逐渐侵占Si基材份额的大趋势下，公司又将收获一枚业绩增长强驱动。

株洲中车时代半导体有限公司_关于我们_下属公司_株洲中车 ...

株洲中车时代半导体有限公司自1964年开始致力于功率半导体技术的研发与产业化，现已成为少数同时掌握IGBT、SiC器件、晶闸管、IGCT及其组件技术的产业化基地之一，是我国集器件开发、生产与应用为一体的IDM（集成设计制造）模式企业代表，拥有芯片—模块—测试—应用完整产业链，为用户提供 ... 株洲中车时代半导体有限公司_关于我们_下属公司_株洲中车 ...株洲中车时代半导体有限公司自1964年开始致力于功率半导体技术的研发与产业化，现已成为少数同时掌握IGBT、SiC器件、晶闸管、IGCT及其组件技术的产业化基地之一，是我国集器件开发、生产与应用为一体的IDM（集成设计制造）模式企业代表，拥有芯片—模块—测试—应用完整产业链，为用户提供 ...

瀚天天成：打造中国“碳化硅谷” - 福建经济 - 东南网 - fjsen

2014年7月31日该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。瀚天天成：打造中国“碳化硅谷” - 福建经济 - 东南网 - fjsen2014年7月31日该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。

株洲南车时代电气股份有限公司 - 百度百科

株洲南车时代电气股份有限公司，于2005年9月26日共同发起设立，公司注册资本为人民币108426万元。公司主要从事轨道交通装备电传动系统、网络控制、变流器、列控系统、信号系统、轨道工程机械电气控制系统及整机、客车电气产品、大功率半导体器件、通用变频器、光伏逆变器、传感器、印制板 ... 株洲南车时代电气股份有限公司 - 百度百科株洲南车时代电气股份有限公司，于2005年9月26日共同发起设立，公司注册资本为人民币108426万元。公司主要从事轨道交通装备电传动系统、网络控制、变流器、列控系统、信号系统、轨道工程机械电气控制系统及整机、客车电气产品、大功率半导体器件、通用变频器、光伏逆变器、传感器、印制板 ...

株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...

2013年9月13日株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心 ... 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...2013年9月13日株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心 ...

南车时代碳化硅

南车时代电气设备（天津）有限公司普通晶闸管及普通整流管IGBT，IGCTS及配套FRDS , 碳化硅器件，功率组件，中压传动变频器，软启动装置，无功补偿装置时代电气顺利通过HXN5型内燃机车牵引变流器高 2022年8月4日 2021 年 12 月，时代电气自主 ... 南车时代碳化硅南车时代电气设备（天津）有限公司普通晶闸管及普通整流管IGBT，IGCTS及配套FRDS , 碳化硅器件，功率组件，中压传动变频器，软启动装置，无功补偿装置时代电气顺利通过HXN5型内燃机车牵引变流器高 2022年8月4日 2021 年 12 月，时代电气自主 ...

一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法[发明专利]_百度文库

一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法[发明专利] -专利内容由知识产权出版社提供专利名称：一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：赵艳黎,刘可安,李诚瞻,高云斌,蒋华平,吴佳,丁荣军申请号：CN2014 10619955.5 申请日：2014 ... 一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法[发明专利]_百度文库一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法[发明专利] -专利内容由知识产权出版社提供专利名称：一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：赵艳黎,刘可安,李诚瞻,高云斌,蒋华平,吴佳,丁荣军申请号：CN2014 10619955.5 申请日：2014 ...

罗海辉 - 百度学术

碳化硅沟槽栅MOSFET 技术研究进展 2023 - 罗海辉，李诚瞻，姚尧，... - 《机车电传动》 - 被引量 ... 株洲南车时代电气股份有限公司王彦刚北京工业大学电子工程系合作机构株洲南车时代电气股份有限公司 ... 罗海辉 - 百度学术碳化硅沟槽栅MOSFET 技术研究进展 2023 - 罗海辉，李诚瞻，姚尧，... - 《机车电传动》 - 被引量 ... 株洲南车时代电气股份有限公司王彦刚北京工业大学电子工程系合作机构株洲南车时代电气股份有限公司 ...

一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法 - 百度学术

本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法.本发明所提供的方法包括如下步骤:1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理;2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理.本发明的方法通过湿法氧化,超声及后处理等 ... 一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法 - 百度学术本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法.本发明所提供的方法包括如下步骤:1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理;2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理.本发明的方法通过湿法氧化,超声及后处理等 ...

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